| 材料科学 |
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ITOのSTM像
酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）STMイメージ。150nmスキャン。
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インバーのMFM像
Invarに１００μm厚ニッケルをコートした加工表面の磁気力顕微鏡（Magnetic
Force Microscopy ; MFM）によるドメイン構造のイメージ。ARgyleというアサイラム・リサーチ社の標準ソフトウエアを用い、形状イメージにＭＦＭイメージを重ねたものです。90μmスキャン。
サンプル提供；Veeco Metrology社のご好意によります。
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DVD
ＤＶＤのピットの16Ｍピクセルイメージです。
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MgO
MgO結晶表面のＡＦＭイメージ。集束イオンビームシステムによって削られ、アニールされた結果、削られた表面にファセットの存在が確認できます。最表面は単原子もしくは2原子のステップで覆われています。20μmスキャン。
イメージ提供；S. MacLaren氏とK. Ohmori氏（Univ. of Illinois at Urbana Champaign.）のご好意によります。
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水滴
へき開直後のマイカ表面上の水滴のＡＦＭイメージ。10μmスキャン。
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カルサイト
過飽和成長溶液中で、成長が阻害されたカルサイト（方解石）結晶のステップ 。40μmスキャン。
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ナノ多孔質アレイ
アルミニウムの自己組織化陽極反応により加工されたナノ多孔質アレイ。5μm×5μm。
サンプル提供；A. Janshoff氏（Mainz大学）のご好意によります。
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コンダクティブAFM
ORCA
イメージング。左が形状イメージ、右は1.5Vバイアス印加時の電流イメージ（50pAスケール）。2μmスキャン。
ZnOサンプル提供；K. Krishnan Lab.氏(Washington大学）のご好意によります。
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ピエゾ応答
導電性の高いＺｎＯの1.5Ｖ印加時における形状イメージ（左）とピエゾ応答イメージ (右)。 2μm×2μm。
サンプル提供；K. Krishnan研究室（Washington大学）のご好意によります。
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GaAs
MBE（分子線エピタキシャル）成長によるGaAsの原子ステップ。5μmスキャン。
サンプル提供；T. Dameto-Race氏（LSU）のご好意によります。
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AlGaAs
MBE（分子線エピタキシャル）成長によるAlGaAsの原子ステップ (コークスクリューパターン）。12μmスキャン。
サンプル提供；T. Dameto-Race氏（LSU）のご好意によります。
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DVD
コンダクティブAFMでとったDVD記録マーク。コンダクティブAFMチャンネルを三次元AFM凹凸像に重ねました。５μｍスキャン。
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